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  • 氧化铟锡-ITO靶

氧化铟锡-ITO靶

  • 用于光学镀膜,真空镀膜,溅射靶材,磁性薄膜,电子材料,合金材料等
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项目

标准

主要成分

In2O3:SnO2=90:10wt%),其它比例以客户要求为准

纯度

4N

相对密度

≥99.3%理论密度7.15g/cm3

电阻率

≤1.8Ω·mm2/m

失氧率

≤0.5%

外观

呈片状或其他形状,其尺寸及偏差由供需双方商定外观颜色均匀;表面平整,无裂纹,无崩边崩角,且无任何外来夹杂物和污染物

内部缺陷

内部无裂纹,无异物








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